深圳市赛奥斯科技有限公司

供应MOSFET管BSC028N06NS

型号/规格:BSC028N06NS 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TDSON-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 ds-漏源极击穿电压: 60 V:-连续漏极电流: 100 A -55C:+150C

供应MOSFET管FQD10N20CTM

型号/规格:FQD10N20CTM 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 漏源极击穿电压: 200 V:连续漏极电流: 7.8 A -55C:+150C

供应MOSFET管IPC100N04S5-1R2

型号/规格:IPC100N04S5-1R2 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TDSON-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 40 V:Id-连续漏极电流: 100 A -55C:+175C

供应场效应管D100N04ESL

型号/规格:D100N04ESL 品牌/商标:平创 封装形式:DFN56 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应MOSFET管SUM65N20-30-E3

型号/规格:MOSFET 品牌/商标:VISHAY 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 ds-漏源极击穿电压: 200 V:Id-连续漏极电流: 65 A -55C:+175C

供应场效应管HYG011N04LS1C2

型号/规格:HYG011N04LS1C2 品牌/商标:华羿微 封装形式:PDFN8L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 漏源电压(Vdss): 40V:连续漏极电流(Id): 165A 功率(Pd): 75W:类型: N沟道

供应MOSFET管MCU18P10Y-TP-HF

型号/规格:MCU18P10Y-TP 品牌/商标:MCC 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 100 V:Id-连续漏极电流: 18 A -55C:+150C Pd-功率耗散: 70 W:上升时间: 30 ns

供应MOSFET管NTB082N65S3F

型号/规格:NTB082N65S3F 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 650 V:Id-连续漏极电流: 40 A -55C:+150C

供应英飞凌)IMZ120R090M1H

型号/规格:IMZ120R090M1H 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 1200V:26A 90mOhm:TO247-4

供应MOSFET管FDBL86062-F085

型号/规格:FDBL86062-F085 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-LL8L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 100 V:Id-连续漏极电流: 300 A -55C:+175C

供应MOSFET管STB28N60DM2

型号/规格:STB28N60DM2 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V:栅源极阈值电压: 3 V -55C:+150C

供应栅极驱动器1EDN8550B

型号/规格:1EDN8550B 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 环保类别:无铅环保型 输出电流: 8 A:上升时间: 6.5 ns 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 150 C

供应MOSFET管IPW65R041CFD

型号/规格:IPW65R041CFD 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 650 V:Id-连续漏极电流: 68.5 A -40C:+125C

供应MOSFET管IXTH80N65X2

型号/规格:IXTH80N65X2 品牌/商标:IXYS/艾赛斯 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 650 V: Id-连续漏极电流: 80 A: 漏源导通电阻: 38 mOhms: 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V:

进口原装汽车芯片FDS4559

型号/规格:FDS4559 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOP8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: - 20 V,:+ 20 V -55C:+175C

供应汽车芯片进口原装/NTHL040N65S3F

型号/规格:NTHL040N65S3F 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:盒带编带包装 功率特征: