深圳市赛奥斯科技有限公司

供应整流器芯片ES1D

型号/规格:ES1D 品牌/商标:TYPE 封装形式:SMA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:中功率 频率特性:高频 整流电流:最大浪涌电流: 30 AA 反向击穿电流:反向电流 : 5 uA 最小工作温度: - 50 C:最大工作温度: + 150 C

供应以太网芯片KSZ8081MNXIA-TR

型号/规格:KSZ8081MNXIA-TR 品牌/商标:MICROCHIP 封装:QFN32 批号:22+ 电源电压-最小: 3.135 V:电源电压-最大: 3.465 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应MOSFET管BSC028N06NS

型号/规格:BSC028N06NS 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TDSON-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 ds-漏源极击穿电压: 60 V:-连续漏极电流: 100 A -55C:+150C

供应逻辑门芯片CD74HC08M96

型号/规格:CD74HC08M96 品牌/商标:TI 封装:SOIC-14 批号:22+ 电源电压-最小: 2 V:电源电压-最大: 6 V 最小工作温度: - 55 C:最大工作温度: + 125 C

供应MOSFET管FQD10N20CTM

型号/规格:FQD10N20CTM 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 漏源极击穿电压: 200 V:连续漏极电流: 7.8 A -55C:+150C

供应MOSFET管IPC100N04S5-1R2

型号/规格:IPC100N04S5-1R2 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TDSON-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 40 V:Id-连续漏极电流: 100 A -55C:+175C

供应监控电路芯片BQ79606PHPRQ1

型号/规格:BQ79606PHPRQ1 品牌/商标:TI 封装:HTQFP-48 批号:21+ 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C 封装 / 箱体: HTQFP-48:Supervisory Circuits

供应运算放大器LM2904DRG3

型号/规格:LM2904DRG3 品牌/商标:TI 封装:SOP8 批号:22+ 电源电压-最大: 26 V:电源电压-最小: 3 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应模拟比较器LM2903DR

型号/规格:LM2903DR 品牌/商标:TI 封装:SOP8 批号:22+ 电源电压-最小: 2 V:电源电压-最大: 30 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应32位控制器F28384SPTPQR

型号/规格:F28384SPTPQR 品牌/商标:TI 内存大小:32位 电源电压-最小: 3.14 V:电源电压-最大: 3.47 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应场效应管D100N04ESL

型号/规格:D100N04ESL 品牌/商标:平创 封装形式:DFN56 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应自动控制器DRA628C7IZKKQ1

型号/规格:DRA628C7IZKKQ1 品牌/商标:TI 内存大小:32位 -40C:+125C 电源电压-最大: 5.5 V:电源电压-最小: 3 V

供应稳压二极管MMSZ4688T1G

型号/规格:MMSZ4688T1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOD-123 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性:大功率 频率特性:高频 反向电压:最大反向漏电流: 10 uA 反向击穿电流:最大反向漏电流: 10 uA 最大反向漏电流: 10 uA: 最小工作温度: - 55 C:最大工作温度: + 150 C

供应电流隔离式栅极驱动器UCC21520DWR

型号/规格:UCC21520DWR 品牌/商标:TI 封装:SOP16 批号:22+ 电源电压-最小: 3 V:电源电压-最大: 18 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应MOSFET管SUM65N20-30-E3

型号/规格:MOSFET 品牌/商标:VISHAY 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 ds-漏源极击穿电压: 200 V:Id-连续漏极电流: 65 A -55C:+175C

供应模拟比较器TLC393QDRG4Q1

型号/规格:TLC393QDRG4Q1 品牌/商标:TI 封装:SOP-8 批号:21+ 电源电压-最小: 4 V:电源电压-最大: 16 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应模拟比较器TLC393QDRG4Q1

型号/规格:TLC393QDRG4Q1 品牌/商标:TI 封装:SOP-8 批号:21+ 电源电压-最小: 4 V:电源电压-最大: 16 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应模拟比较器LM2903QDRQ1

型号/规格:LM2903QDRQ1 品牌/商标:TI 封装:SOP8 批号:22+ 电源电压-最小: 2 V:电源电压-最大: 30 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 150 C

供应驱动器UCC27524AQDRQ1

型号/规格:UCC27524AQDRQ1 品牌/商标:TI 封装:SOP8 批号:22+ 电源电压-最小: 4.5 V:电源电压-最大: 18 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 140 C

供应运算放大器TLV9054IPWR

电源电压-最大: 5.5 V:电源电压-最小: 1.8 V -40C:+125C :输入偏置电压 : 330 uV 增益带宽产品: 5 MHz:每个通道的输出电流: 50 mA 转换速率 : 15 V/us:共模抑制比: 96 dB :

供应单片机SAK-TC275TP-64F200N DC

型号/规格:SAK-TC275TP-64F200N DC 品牌/商标:INFINEON 内存大小:32位 数据 RAM 大小:472 kB:数据总线宽度:32 bit 最小工作温度:- 40 C:最大工作温度:+ 125 C :电源电压-最小: 1.17 V

供应照明驱动器MPQ3326GR-AEC1-Z

型号/规格:MPQ3326GR-AEC1-Z 品牌/商标:MPS 输入电压（最小值）: 4 V:输入电压（最大值）: 16 V -40C:+150C :工作频率: 245 Hz

供应IGBT 晶体管FGH60T65SHD-F155

型号/规格:FGH60T65SHD-F155 品牌/商标:ON（安森美） 集电极—射极饱和电压: 1.6 V:集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V 在25 C的连续集电极电流: 120 A:栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V -55C:最大工作温度: + 175 C :Pd-功率耗散: 349 W

供应单片机AC78013FDLA

型号/规格:AC78013FDLA 品牌/商标:AUTOCHIPS/杰发 内存大小:20KB :最大20KB :72MHz :LQFP-48(7x7) 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应场效应管HYG011N04LS1C2

型号/规格:HYG011N04LS1C2 品牌/商标:华羿微 封装形式:PDFN8L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 漏源电压(Vdss): 40V:连续漏极电流(Id): 165A 功率(Pd): 75W:类型: N沟道

供应运算放大器LM2904AVQDRQ1

型号/规格:LM2904AVQDRQ1 品牌/商标:TI 封装:SOP8 批号:21+ 电源电压-最大: 26 V:电源电压-最小: 3 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应MOSFET管MCU18P10Y-TP-HF

型号/规格:MCU18P10Y-TP 品牌/商标:MCC 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 100 V:Id-连续漏极电流: 18 A -55C:+150C Pd-功率耗散: 70 W:上升时间: 30 ns

供应低压差稳压器TLV70450DBVR

型号/规格:TLV70450DBVR 品牌/商标:TI 封装:SOT23-5 批号:21+ 输入电压（最小值）: 2.5 V:输入电压（最大值）: 24 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应运算放大器LMV604MAX/NOPB

型号/规格:LMV604MAX/NOPB 品牌/商标:TI 封装:SOP14 批号:19+ 电源电压-最大: 5.5 V:电源电压-最小: 2.7 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应变换器74LVC1G14SE-7

型号/规格:74LVC1G14SE-7 品牌/商标:DIODES(美台) 封装:SOT-353 批号:21+ 电源电压-最大: 5.5 V:电源电压-最小: 1.65 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应MOSFET管NTB082N65S3F

型号/规格:NTB082N65S3F 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 650 V:Id-连续漏极电流: 40 A -55C:+150C

供应隔离放大器AMC1200BDWVR

型号/规格:AMC1200BDWVR 品牌/商标:TI 封装:SOP8 批号:18+ 电源电压-最大: 5.5 V:电源电压-最小: 2.7 V, 4.5 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 105 C

供应控制器S912ZVMC25F1VKK

型号/规格:S912ZVMC25F1VKK 品牌/商标:NXP 内存大小: 电源电压-最小: 1.72 V:电源电压-最大: 1.98 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 105 C 数据 ROM 大小: 1 kB:ADC通道数量: 16 Channel

供应英飞凌)IMZ120R090M1H

型号/规格:IMZ120R090M1H 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 1200V:26A 90mOhm:TO247-4

供应模拟比较器芯片LM2903BQDRQ1

型号/规格:LM2903BQDRQ1 品牌/商标:TI 封装:SOP8 批号:22+ 电源电压-最小: 2 V:电源电压-最大: 36 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C

供应MOSFET管FDBL86062-F085

型号/规格:FDBL86062-F085 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:TO-LL8L 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压: 100 V:Id-连续漏极电流: 300 A -55C:+175C

供应线性稳压器MC78M05BDTRKG

输入电压（最小值）: 7 V:输入电压（最大值）: 35 V -40C:+125C 负载调节: 100 mV:线路调整率: 50 mV 高度: 2.38 mm:长度: 6.73 mm

供应ARM微控制器S9KEAZN64AMLC

型号/规格:S9KEAZN64AMLC 品牌/商标:TI 内存大小:程序存储器大小: 64 kB 电源电压-最小: 2.7 V:电源电压-最大: 5.5 V 最小工作温度: - 40 C:最大工作温度: + 125 C