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深圳市赛奥斯科技有限公司
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询价相关产品
产品信息
产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
系列: SuperFET3
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 41 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间: 101 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 6 g
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
系列: SuperFET3
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 41 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间: 101 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 6 g
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
系列: SuperFET3
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 41 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间: 101 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 6 g
NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F