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深圳市赛奥斯科技有限公司
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供应IGBT 晶体管FGH60T65SHD-F155
型号/规格:FGH60T65SHD-F155 品牌/商标:ON（安森美） 集电极—射极饱和电压: 1.6 V:集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V 在25 C的连续集电极电流: 120 A:栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V -55C:最大工作温度: + 175 C :Pd-功率耗散: 349 W
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供应可控硅SGTP50V65UFCR2P7
型号/规格:SGTP50V65UFCR2P7 品牌/商标:士兰微 :1.7V-25ns :650V-50A-FRD -40C:+125C 高度: 1.58 mm:上升时间: 28 ns