MOSFET管STB28N60DM2_深圳市赛奥斯科技有限公司

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供应MOSFET管STB28N60DM2

型号/规格：

STB28N60DM2

品牌/商标：

ST（意法半导体）

封装形式：

TO-263

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

盒带编带包装

功率特征：

大功率

栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V：

栅源极阈值电压:3 V

-55C：

+150C

询价

产品信息

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 22 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, %2B 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
商标名: MDmesh
系列: STB28N60DM2
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: -
正向跨导 - 值: -
产品类型: MOSFET
上升时间: -
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: -
典型接通延迟时间: -
单位重量: 4 g

STB28N60DM2 STB28N60DM2 STB28N60DM2 STB28N60DM2 STB28N60DM2

深圳市赛奥斯科技有限公司是一家极具实力zhuan业从事IC集成电路，电子元器件的代理分销机构。不但拥有大量的现货库存和良好的价格。在亚洲、欧美有着良好的供货渠道，并且有固定的OEM客户关系。公司创建至今，全体团队与时俱进，努力完善公司的he心价值观，建立强大的销售平台，实施公司的he心文化（诚信、共同发展、开拓创新）。与美国、欧盟、韩国、日本、等诸多IC品牌代理商建立稳定的作关系,并合赢得各界的信赖与支持。为建立quan球性的贸易平台,成为zhu名的 IC 独立分销商奠定了磐石般的基础。为您提供优质的售后服务。

主营范围：ic公司经营的主要优势品牌有：AD、MAXIM、NXP、TI、ST、ATMEL、IR等。并兼营各系列二、三极管、电容电阻、模块、开关，继电器及其它电子元件,提供的配单服务，可为您寻找＊＊级、工业级、偏冷门、已停产的各系列IC器件。产品的应用领域涉及：IT、通信、遥控、控制系统、汽车、机械、仪表、家电控制、军用、航空、和卫星等行业。

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产品分类

集成电路(IC)(50)

电源IC(8)

二极管(7)

场效应管MOSFET(16)

可控硅IGBT(2)

单片机(24)

电源/稳压器(1)

石英晶体器件(1)

传感器(3)

变送器(1)

放大器(3)

LED(2)

其他未分类(1)

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