深圳市赛奥斯科技有限公司

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V
Qg-栅极电荷: 131 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: IPC100N04S5-1R2 SP001262620
单位重量: 113.570 mg
IPC100N04S5-1R2 IPC100N04S5-1R2 IPC100N04S5-1R2 IPC100N04S5-1R2

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