- 非IC关键词
深圳市赛奥斯科技有限公司
- 卖家积分：
营业执照：已审核经营模式：贸易/代理/分销所在地区：广东 深圳企业网站：
http://www.saskj.com
收藏本公司 人气：198109
企业档案
- 相关证件：
- 会员类型：
- 会员年限：10年
- 李先生
- 电话：0755-83245423
- 手机：15673540295
- 李小姐
- 电话：0755-83011065
- 手机：15889752608
- 阿库IM：
- 地址：深圳市福田区华强北上步工业区101栋518室
- 传真：0755-82815131
- E-mail：15673540295@163.com
询价相关产品
产品信息
产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
系列: SuperFET3
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 41 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间: 101 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 6 g
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
系列: SuperFET3
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 41 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间: 101 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 6 g
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, %2B 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 158 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 446 W
通道模式: Enhancement
系列: SuperFET3
封装: Tube
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 41 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel SuperFET III MOSFET
典型关闭延迟时间: 101 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 6 g
NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F